M-RAM: avancée prometteuse de chercheurs taiwanais

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Percée taiwanaise dans le domaine de la mémoire vive magnétique (photo fournie par le ministère des sciences et tehcnologies)

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Des scientifiques taiwanais de l’Université nationale Tsing Hua ont réalisé une avancée majeure et prometteuse dans la recherche sur la mémoire vive magnétique (MRAM, Magnetic Random Access Memory).

La MRAM est un dispositif permettant de stocker des bits de données à l’aide de charges magnétiques au lieu des charges électriques utilisées par la mémoire vive dynamique (DRAM, Dynamic Random Access Memory) ce qui offre plusieurs atouts :
-un stockage de plus grandes quantités de données, via les « spins »
-un accès direct et sans alimentation électrique ou autre source d’énergie
-une conservation des données, même hors tension.

Ce type de mémoire non volatile est annoncé comme très prometteur pour le secteur des objets connectés qui jusqu’à présent préféraient utiliser les DRAM.

Tour d’horizon de cette percée et des enjeux appliqués attendus dans l’émission Taiwan en ébul’action de ce vendredi.